Datasheet NGD18N40ACLBT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK — Даташит

Купить NGD18N40ACLBT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 336 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков , Trans IGBT Chip N-CH 430V 15A 115000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
Софт-Логистик Россия	NGD18N40ACLBT4G Littelfuse	173 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	NGD18N40ACLBT4G Littelfuse	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	NGD18N40ACLBT4G Littelfuse	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NGD18N40ACLBT4G Littelfuse	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V
N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features http://onsemi.com
· · · · · · · · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
• DC Collector Current: 18 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 115 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)