Datasheet NGD18N40ACLBT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: NGD18N40ACLBT4G
Купить NGD18N40ACLBT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 347 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | |||
NGD18N40ACLBT4G Littelfuse | 84 ₽ | ||
NGD18N40ACLBT4G Littelfuse | 90 ₽ | ||
NGD18N40ACLBT4G | по запросу | ||
NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK
Краткое содержание документа:
NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V
N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features http://onsemi.com
· · · · · · · · · · · ·
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
- DC Collector Current: 18 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)