Datasheet NGD8205ANT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK — Даташит

Купить NGD8205ANT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 341 ₽ 20 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	NGD8205ANT4G Rochester Electronics	61 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	NGD8205ANT4G Littelfuse	188 ₽	Купить
727GS Весь мир	NGD8205ANT4G Rochester Electronics	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	NGD8205ANT4G ProsKit	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD8205N, NGD8205AN Ignition IGBT
20 Amp, 350 Volt, N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
• DC Collector Current: 20 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)