Datasheet NGD8205ANT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK — Даташит

Купить NGD8205ANT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 341 ₽ 20 предложений от 18 поставщиков БТИЗ транзистор, 20 А, 1.3 В, 125 Вт, 350 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)
Lixinc Electronics Весь мир	NGD8205ANT4G Rochester Electronics	от 58 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NGD8205ANT4G Littelfuse	76 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NGD8205ANT4G Littelfuse	80 ₽	Купить
Элитан Россия	NGD8205ANT4G Littelfuse	169 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD8205N, NGD8205AN Ignition IGBT
20 Amp, 350 Volt, N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
• DC Collector Current: 20 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)