Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, TO247 — Даташит

Купить NGTB15N120IHLWG на РадиоЛоцман.Цены — от 66 до 352 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков ON SEMICONDUCTOR NGTB15N120IHLWG IGBT Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
ЧипСити Россия	NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor	71 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
727GS Весь мир	NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
• DC Collector Current: 15 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)