Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

Купить NGTB25N120IHLWG на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 1 351 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120IHLWG IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
T-electron Россия и страны СНГ	NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor	81 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor	161 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor	252 ₽	Купить
Akcel Весь мир	NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor	от 1 341 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• DC Collector Current: 25 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)