Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG

Наименование модели: NGTB25N120IHLWG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • DC Collector Current: 25 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

    Исполнение: TO-247-3. IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating IGBT транзистор NGTB25N120IHLWG. Описание в формате PDF
    Цена NGTB25N120IHLWG
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    5 элементBZV55-C75,13528 руб.
    ТерраэлектроникаON SemiconductorNGTB25N120IHLWGот 65 руб.
    ПМ ЭлектрониксON SemiconductorNGTB25N120IHLWGот 142 руб.
    ДКО ЭлектронщикON SemiconductorNGTB25N120IHLWGпо запросу
    КремнийON SemiconductorNGTB25N120IHLWGпо запросу
    Все 14 предложений от 11 поставщиков »
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru