Datasheet VS-40MT120UHAPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP — Даташит
Наименование модели: VS-40MT120UHAPBF
![]() 12 предложений от 12 поставщиков VISHAY VS-40MT120UHAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 80A, 5.35V, 463W, 1.2kV, MTP | |||
VS-40MT120UHAPBF Vishay | 40 ₽ | ||
VS-40MT120UHAPBF Vishay | 2 340 ₽ | ||
VS-40MT120UHAPBF Vishay | 4 584 ₽ | ||
VS-40MT120UHAPBF Vishay | 5 525 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP
Краткое содержание документа:
40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbF
Vishay High Power Products
"Half Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A
FEATURES
· Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology · Positive VCE(on) temperature coefficient · 10 s short circuit capability · Square RBSOA · HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF · Al2O3 DBC · Optional SMD thermistor (NTC)
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 5.35 В
- DC Collector Current: 80 А
- Количество выводов: 12
- Корпус транзистора: MTP
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 463 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VS40MT120UHAPBF, VS 40MT120UHAPBF