Datasheet VS-GB100DA60UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 600 В, 100 А, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: VS-GB100DA60UP
![]() 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GB100DA60UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 125A, 2.4V, 447W, 600V, SOT-227 | |||
VS-GB100DA60UP Vishay | 3 942 ₽ | ||
VS-GB100DA60UP Vishay | 5 410 ₽ | ||
VS-GB100DA60UP Vishay | по запросу | ||
VS-GB100DA60UP Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 600 В, 100 А, SOT-227
Краткое содержание документа:
GB100DA60UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A
FEATURES
· NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient · Square RBSOA · HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- DC Collector Current: 125 А
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-227
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 447 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGB100DA60UP, VS GB100DA60UP