Datasheet VS-GB75DA120UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227 — Даташит

Купить VS-GB75DA120UP на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 3 954 ₽ 8 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GB75DA120UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 131A, 3.3V, 658W, 1.2kV, SOT-227
727GS Весь мир	VS-GB75DA120UP Vishay	от 26 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	VS-GB75DA120UP Vishay	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	VS-GB75DA120UP Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	VS-GB75DA120UP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB75DA120UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A
FEATURES
· NPT Generation V IGBT technology · Square RBSOA · HEXFRED® low Qrr, low switching energy · Positive VCE(on) temperature coefficient · Fully isolated package

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
• DC Collector Current: 131 А
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-227
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 658 Вт
• RoHS: да

Варианты написания:

VSGB75DA120UP, VS GB75DA120UP