Datasheet VS-GB75SA120UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227 — Даташит

Купить VS-GB75SA120UP на РадиоЛоцман.Цены — от 52 до 3 027 ₽ 8 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GB75SA120UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 131A, 3.3V, 658W, 1.2kV, SOT-227
AiPCBA Весь мир	VS-GB75SA120UP Vishay	2 995 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	VS-GB75SA120UP Vishay	3 027 ₽	Купить
Maybo Весь мир	VS-GB75SA120UP Vishay	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	VS-GB75SA120UP Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB75SA120UP
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A
FEATURES

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
• DC Collector Current: 131 А
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-227
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 658 Вт
• RoHS: да

Варианты написания:

VSGB75SA120UP, VS GB75SA120UP