Datasheet NTSJ30U100CTG - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, сдвоенный, 30 А, 100 В, TO220 — Даташит

ON Semiconductor NTSJ30U100CTG

Наименование модели: NTSJ30U100CTG

Купить NTSJ30U100CTG на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 177 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Diode Schottky 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Стандарт СИЗ Россия	NTSJ30U100CTG ON Semiconductor	29 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	NTSJ30U100CTG ON Semiconductor	57 ₽
ЧипСити Россия	NTSJ30U100CTG ON Semiconductor	171 ₽
AiPCBA Весь мир	NTSJ30U100CTG ON Semiconductor	177 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, сдвоенный, 30 А, 100 В, TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTST30U100CT, NTSB30U100CT-1, NTSJ30U100CTG, NTSB30U100CTG Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.42 V at IF = 5 A
Features http://onsemi.com
· Fine Lithography Trench-based Schottky Technology for Very Low · · · · · ·
Forward Voltage and Low Leakage Fast Switching with Exceptional Temperature Stability Low Power Loss and Lower Operating Temperature Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance Low Thermal Resistance High Surge Capability Pb-Free and Halide-Free Packages are Available

Спецификации:

Diode Configuration: Dual Common Cathode
Diode Type: Schottky
Forward Current If(AV): 30 А
Forward Surge Current Ifsm Max: 160 А
Forward Voltage VF Max: 800 мВ
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
Количество выводов: 3
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Тип корпуса: TO-220FP
RoHS: да
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)