Datasheet VS-40MT120UHTAPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP — Даташит
Наименование модели: VS-40MT120UHTAPBF
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-40MT120UHTAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 80A, 5.35V, 463W, 1.2kV, MTP | |||
VS-40MT120UHTAPBF Vishay | 8 714 ₽ | ||
VS-40MT120UHTAPBF Vishay | по запросу | ||
VS-40MT120UHTAPBF Vishay | по запросу | ||
VS-40MT120UHTAPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 5.35 В
- DC Collector Current: 80 А
- Количество выводов: 12
- Корпус транзистора: MTP
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 463 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VS40MT120UHTAPBF, VS 40MT120UHTAPBF