Datasheet VS-GA300TD60S - Vishay Даташит IGBT MODULE, 600 В, 300 А, INT-A-PAK — Даташит

Vishay VS-GA300TD60S

Наименование модели: VS-GA300TD60S

Купить VS-GA300TD60S на РадиоЛоцман.Цены — от 15 253 до 17 573 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков VISHAY VS-GA300TD60S IGBT Array & Module Transistor, NPN, 530A, 1.24V, 1.136kW, 600V, Dual INT-A-PAK
ЧипСити Россия	VS-GA300TD60S Vishay	15 253 ₽
AiPCBA Весь мир	VS-GA300TD60S Vishay	16 226 ₽
ChipWorker Весь мир	VS-GA300TD60S Vishay	16 226 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	VS-GA300TD60S Vishay	17 573 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 300 А, INT-A-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GA300TD60S
Vishay Semiconductors
Dual INT-A-PAK Low Profile "Half-Bridge" (Standard Speed IGBT), 300 A
FEATURES
· Generation 4 IGBT technology · Standard: Optimized for hard switching speed DC to 1 kHz · Low VCE(on) · Square RBSOA · HEXFRED® antiparallel diode with ultrasoft reverse recovery characteristics · Industry standard package · Al2O3 DBC Dual INT-A-PAK Low Profile · UL approved file E78996 · Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC · Designed for industrial level

Спецификации:

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Collector Emitter Voltage Vces: 1.24 В
DC Collector Current: 530 А
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: Double INT-A-PAK
Полярность транзистора: NPN
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1.136 кВт
RoHS: да

Варианты написания:

VSGA300TD60S, VS GA300TD60S