Datasheet VS-GA400TD60S - Vishay Даташит IGBT MODULE, 600 В, 400 А, INT-A-PAK — Даташит
Наименование модели: VS-GA400TD60S
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GA400TD60S IGBT Array & Module Transistor, NPN, 750A, 1.24V, 1.563kW, 600V, Dual INT-A-PAK | |||
VS-GA400TD60S Vishay | 14 963 ₽ | ||
VS-GA400TD60S Vishay | 15 095 ₽ | ||
VS-GA400TD60S | по запросу | ||
VS-GA400TD60S Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 600 В, 400 А, INT-A-PAK
Краткое содержание документа:
GA400TD60S
Vishay Semiconductors
Dual INT-A-PAK Low Profile "Half-Bridge" (Standard Speed IGBT), 400 A
FEATURES
· Generation 4 IGBT technology · Standard: Optimized for hard switching speed DC to 1 kHz · Low VCE(on) · Square RBSOA · HEXFRED® antiparallel diode with ultrasoft reverse recovery characteristics · Industry standard package · Al2O3 DBC · UL approved file E78996 Dual INT-A-PAK Low Profile · Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC · Designed for industrial level
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.24 В
- DC Collector Current: 750 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: Double INT-A-PAK
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.563 кВт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGA400TD60S, VS GA400TD60S