Datasheet VS-GA75TS120UPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, INT-A-PAK — Даташит
Наименование модели: VS-GA75TS120UPBF
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge | |||
VS-GA75TS120UPBF Vishay | по запросу | ||
VS-GA75TS120UPBF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, INT-A-PAK
Краткое содержание документа:
GA75TS120UPbF
Vishay High Power Products
"Half-Bridge" IGBT INT-A-PAK (Ultrafast Speed IGBT), 75 A
FEATURES
· Generation 4 IGBT technology · Ultrafast: Optimized for high speed 8 kHz to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft recovery · Industry standard package · UL approved file E78996
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- DC Collector Current: 110 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: INT-A-PAK
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 390 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGA75TS120UPBF, VS GA75TS120UPBF