SELECT id, id2, name, name_g, rza1, model, model_index, subname, seolink, enabled, enabled_g, (MATCH (search_title) AGAINST ('')) AS score FROM expo WHERE enabled='1' AND id!='134302' AND serv_domen='' AND (MATCH (search_title) AGAINST ('')) ORDER BY score DESC LIMIT 0,8 VS-GB100TS60NPBF Datasheet (Даташит) Vishay, Скачать PDF
KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet VS-GB100TS60NPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 600 В, 108 А, INT-A-PAK — Даташит

Vishay VS-GB100TS60NPBF

Наименование модели: VS-GB100TS60NPBF

8 предложений от 8 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 108 Amp 600 Volt Half-Bridge
AiPCBA
Весь мир
VS-GB100TS60NPBF
Vishay
8 485 ₽
ChipWorker
Весь мир
VS-GB100TS60NPBF
Vishay
8 485 ₽
VS-GB100TS60NPBF
Vishay
9 460 ₽
Akcel
Весь мир
VS-GB100TS60NPBF
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 600 В, 108 А, INT-A-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB100TS60NPbF
Vishay High Power Products
INT-A-PAK "Half-Bridge" (Ultrafast Speed IGBT), 108 A
FEATURES
· Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology · Ultrafast: Optimized for hard switching speed 8 kHz to 60 kHz · Low VCE(on) · 10 s short circuit capability · Square RBSOA · Positive VCE(on) temperature coefficient

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
  • DC Collector Current: 108 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: INT-A-PAK
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 390 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

VSGB100TS60NPBF, VS GB100TS60NPBF

На английском языке: Datasheet VS-GB100TS60NPBF - Vishay IGBT MODULE, 600 V, 108 A, INT-A-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России