Datasheet VS-GB200TS60NPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 600 В, 209 А, INT-A-PAK — Даташит
Наименование модели: VS-GB200TS60NPBF
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 600V 209A 781000mW 7Pin INT-A-PAK | |||
VS-GB200TS60NPBF Vishay | 8 730 ₽ | ||
VS-GB200TS60NPBF Vishay | по запросу | ||
VS-GB200TS60NPBF Vishay | по запросу | ||
VS-GB200TS60NPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 600 В, 209 А, INT-A-PAK
Краткое содержание документа:
GB200TS60NPbF
Vishay High Power Products
INT-A-PAK "Half-Bridge" (Ultrafast Speed IGBT), 209 A
FEATURES
· Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology · Ultrafast: Optimized for hard switching speed 8 kHz to 60 kHz · Low VCE(on) · 10 s short circuit capability · Square RBSOA · Positive VCE(on) temperature coefficient
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- DC Collector Current: 209 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: INT-A-PAK
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 781 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGB200TS60NPBF, VS GB200TS60NPBF