Источники питания KEEN SIDE

Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK — Даташит

Наименование модели: VS-GB50YF120N

9 предложений от 9 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp
ЧипСити
Россия
VS-GB50YF120N
Vishay
10 845 ₽
AiPCBA
Весь мир
VS-GB50YF120N
Vishay
11 649 ₽
VS-GB50YF120N
Vishay
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
VS-GB50YF120N
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 4.15 В
  • DC Collector Current: 66 А
  • Количество выводов: 35
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 330 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

VSGB50YF120N, VS GB50YF120N

На английском языке: Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay IGBT MODULE, 1200 V, 50 A, 4PACK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка