Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK — Даташит
Наименование модели: VS-GB50YF120N
 Купить VS-GB50YF120N на РадиоЛоцман.Цены — от 10 678 до 12 813 ₽8 предложений от 8 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp | |||
| VS-GB50YF120N Vishay | 10 678 ₽ | ||
| VS-GB50YF120N Vishay | 10 792 ₽ | ||
| VS-GB50YF120N Vishay | 11 470 ₽ | ||
| VS-GB50YF120N | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 4.15 В
- DC Collector Current: 66 А
- Количество выводов: 35
- Полярность транзистора: NPN
- Рассеиваемая мощность: 330 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGB50YF120N, VS GB50YF120N
