Datasheet VS-GB75YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, 4PACK — Даташит
Наименование модели: VS-GB75YF120N
 Купить VS-GB75YF120N на РадиоЛоцман.Цены — от 17 605 до 31 236 ₽11 предложений от 11 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp | |||
| VS-GB75YF120N Vishay | 27 319 ₽ | ||
| VS-GB75YF120N Vishay | 29 212 ₽ | ||
| VS-GB75YF120N Vishay | 31 236 ₽ | ||
| VS-GB75YF120N | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, 4PACK
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.8 В
- DC Collector Current: 100 А
- Количество выводов: 35
- Полярность транзистора: NPN
- Рассеиваемая мощность: 480 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGB75YF120N, VS GB75YF120N
