Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet VS-GB75YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, 4PACK — Даташит

Наименование модели: VS-GB75YF120N

9 предложений от 9 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp
VS-GB75YF120N
Vishay
5 649 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
VS-GB75YF120N
Vishay
6 687 ₽
VS-GB75YF120N, IGBT модуль 1200В 75А Econo2 4Pack
Vishay
18 540 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
VS-GB75YF120N
Vishay
36 011 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, 4PACK

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.8 В
  • DC Collector Current: 100 А
  • Количество выводов: 35
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 480 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

VSGB75YF120N, VS GB75YF120N

На английском языке: Datasheet VS-GB75YF120N - Vishay IGBT MODULE, 1200 V, 75 A, 4PACK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России