Datasheet NTE451 - NTE Electronics Даташит JFET, -25 В, 20 мА, TO-92-3 — Даташит

Купить NTE451 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 933 ₽ 14 предложений от 9 поставщиков транзистор характеристики, NTE ELECTRONICS NTE451 JFET Transistor, Junction Field Effect, -25V, 4mA, 20mA, -4V, TO-92, JFET
AllElco Electronics Весь мир	NTE451	от 36 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTE451 NTE Electronics	79 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE451 NTE Electronics	933 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE451	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: JFET, -25 В, 20 мА, TO-92-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE451 Silicon N­Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: Drain­Gate Voltage, VDG .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Reverse Gate­Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­65° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Breakdown Voltage Vbr: -25 В
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -4 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 4 мА ... 20 мА
• Рассеиваемая мощность: 350 мВт
• Тип транзистора: JFET