Datasheet 2N6059 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 12 А, TO-3 — Даташит
Наименование модели: 2N6059
![]() 38 предложений от 24 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE | |||
2N6059 | 284 ₽ | ||
JANTXV2N6059 Microsemi | по запросу | ||
2N605+9 | по запросу | ||
JAN2N6059 Microchip | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, 12 А, TO-3
Краткое содержание документа:
1N914 / 1N914A / 1N914B
FAST SWITCHING DIODE Features
· · · · Fast Switching Speed High Reliability High Conductance For General Purpose Switching Applications
A
B
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- DC Collector Current: 12 А
- DC Current Gain: 750
- Transition Frequency Typ ft: 4 МГц
- Полярность транзистора: NPN
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- RoHS: да