Datasheet NTE189 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 80 В, TO-202 — Даташит
Наименование модели: NTE189
![]() 10 предложений от 8 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 2А; 10Вт; TO202N | |||
NTE189 NTE Electronics | 2 696 ₽ | ||
NTE189 | 2 891 ₽ | ||
NTE189 | от 12 389 ₽ | ||
NTE189 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Транзистор, PNP, 80 В, TO-202
Краткое содержание документа:
NTE188 (NPN) & NTE189 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver
Description: The NTE188 (NPN) and NTE189 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO202N type package designed for general purpose, high voltage amplifier and driver applications.
Features: D High Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 80V @ IC = 1mA D High Power Dissipation: PD = 10W @ TC = +25°C Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector-Base Voiltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- DC Current Gain: 8
- Количество выводов: 3
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 10 Вт
- RoHS: да