Datasheet NTE292 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 120 В, 4 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: NTE292
![]() 21 предложений от 13 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; 120В; 4А; 40Вт; TO220 | |||
NTE292 NTE Electronics | 159 ₽ | ||
NTE292 NTE Electronics | 170 ₽ | ||
NTE292 | от 423 ₽ | ||
NTE292 | 19 232 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Транзистор, PNP, 120 В, 4 А, TO-220
Краткое содержание документа:
NTE291 (NPN) & NTE292 (PNP) Silicon Complementary Transistors Medium Power Amp, Switch
Description: The NTE291 (NPN) and NTE292 (PNP) are GeneralPurpose MediumPower silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for switching and amplifier applications.
They are especially designed for series and shunt regulators and as a driver and output stage of highfidelity amplifiers. Features: D Low Saturation Voltage Absolute Maximum Ratings: CollectortoBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V CollectortoEmitter Voltage (RBB = 100, VBB = 0), VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V CollectortoEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V EmitterToBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain: 2
- Количество выводов: 3
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 40 Вт
- RoHS: да