Datasheet NTE292 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 120 В, 4 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE292 на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 2 172 ₽ 20 предложений от 12 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
AiPCBA Весь мир	NTE292 NTE Electronics	163 ₽	Купить
Эиком Россия	NTE292	от 410 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE292 NTE Electronics	от 413 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE292	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, PNP, 120 В, 4 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE291 (NPN) & NTE292 (PNP) Silicon Complementary Transistors Medium Power Amp, Switch
Description: The NTE291 (NPN) and NTE292 (PNP) are General­Purpose Medium­Power silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for switching and amplifier applications.

They are especially designed for series and shunt regulators and as a driver and output stage of high­fidelity amplifiers. Features: D Low Saturation Voltage Absolute Maximum Ratings: Collector­to­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V Collector­to­Emitter Voltage (RBB = 100, VBB = 0), VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V Collector­to­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Emitter­To­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
• DC Collector Current: 4 А
• DC Current Gain: 2
• Количество выводов: 3
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 40 Вт
• RoHS: да