Datasheet SDB10S120 - SemiSouth Даташит Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SDB10S120
Подробное описание
Производитель: SemiSouth
Описание: Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252
Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SDB10S120
Silicon Carbide Power Schottky Diode
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Temperature Independent Switching Behavior - 175 °C Maximum Operating Temperature - Zero Reverse Recovery Current - Zero Forward Recovery Voltage
Product Summary
Спецификации:
- Diode Configuration: Single
- Diode Type: SiC Schottky
- Forward Current If(AV): 10 А
- Forward Surge Current Ifsm Max: 250 А
- Forward Voltage VF Max: 1.8 В
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Тип корпуса: TO-252
- RoHS: да