Datasheet IRFHM792TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N-CH, 100 В, 2.9 А, PQFN — Даташит
Наименование модели: IRFHM792TR2PBF
5 предложений от 5 поставщиков Труба MOS, 100V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package | |||
IRFHM792TR2PBF International Rectifier | 36 ₽ | ||
IRFHM792TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFHM792TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFHM792TR2PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N-CH, 100 В, 2.9 А, PQFN
Краткое содержание документа:
PD - 96368A
IRFHM792TRPbF IRFHM792TR2PbF
VDS Vgs
max
100 ± 20 195 4.2 3.4
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.164 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PQFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 10.4 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)