Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IRFHM8363TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N-CH, 30 В, 10 А, PQFN — Даташит

International Rectifier IRFHM8363TR2PBF

Наименование модели: IRFHM8363TR2PBF

6 предложений от 6 поставщиков
Труба MOS, 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package
ЧипСити
Россия
IRFHM8363TR2PBF
International Rectifier
51 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFHM8363TR2PBF
Infineon
80 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRFHM8363TR2PBF
Infineon
80 ₽
Augswan
Весь мир
IRFHM8363TR2PBF
Infineon
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N-CH, 30 В, 10 А, PQFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97678A
IRFHM8363PbF
VDS Vgs
max
30 ± 20 14.9 20.4 6.7 10

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0122 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PQFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 19 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRFHM8363TR2PBF - International Rectifier MOSFET, DUAL, N-CH, 30 V, 10 A, PQFN

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка