Datasheet PMZB290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 1 А, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PMZB290UNE
![]() 29 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 0,8А; Idm: 4А; 350мВт | |||
PMZB290UNE2YL Nexperia | от 10 ₽ | ||
PMZB290UNE2YL Nexperia | от 12 ₽ | ||
PMZB290UNE,315 NXP | по запросу | ||
PMZB290UNE315 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 1 А, SOT883B
Краткое содержание документа:
PMZB290UNE
83B
20 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev.
3 -- 23 March 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 715 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)