Datasheet PMZB670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT883B — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT883B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZB670UPE
83B
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Rev.

3 -- 23 March 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -680 мА
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-883
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 360 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)