Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet PSMN016-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN016-100BS

Наименование модели: PSMN016-100BS

39 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 57 А, 0.013 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ChipWorker
Весь мир
PSMN016-100BS
NXP
46 ₽
Элитан
Россия
PSMN016-100BS
NXP
123 ₽
PSMN016-100BS,118
Nexperia
от 186 ₽
Augswan
Весь мир
PSMN016-100BS
Nexperia
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN016-100BS
N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

2 -- 1 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 57 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 148 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN016100BS, PSMN016 100BS

На английском языке: Datasheet PSMN016-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 57 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка