Datasheet PSMN016-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN016-100BS
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN016-100BS
N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 2 -- 1 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 57 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 148 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN016100BS, PSMN016 100BS
На английском языке: Datasheet PSMN016-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 57 A, D2PAK
PSMN016-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 38,77 до 42,50 руб.
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| T-electron | PSMN016-100BS.118 | 38,77 руб. | |
| Элитан | NXP | PSMN016-100BS | 42,50 руб. |
| Кремний | NXP | PSMN016-100BS118 | по запросу |
| МосЧип | NXP | PSMN016-100BS,118 | по запросу |
| ЭФО | PSMN016-100BS,118 | по запросу | |
| Все 6 предложений от 6 поставщиков » | |||
Рекомендуемые материалы по теме:
- Datasheet PSMN016-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 51 А, LFPAK
- Datasheet PSMN016-100PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 96 А, TO-220AB
- Datasheet PSMN016-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 32.1 А, TO220F
- Datasheet PSMN013-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 68 А, D2PAK
- Datasheet PSMN027-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 37 А, D2PAK
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|