Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet PSMN1R6-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN1R6-30BL

Наименование модели: PSMN1R6-30BL

13 предложений от 11 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN1R6-30BL.118
Nexperia
67 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN1R6-30BL118
NXP
71 ₽
727GS
Весь мир
PSMN1R6-30BL
NXP
от 100 ₽
PSMN1R6-30BL,118
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN1R6-30BL
N-channel 30 V 1.9 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.

1 -- 22 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00158 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN1R630BL, PSMN1R6 30BL

На английском языке: Datasheet PSMN1R6-30BL - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка