Datasheet PSMN1R6-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN1R6-30BL
Купить PSMN1R6-30BL на РадиоЛоцман.Цены — от 77 до 141 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | |||
| PSMN1R6-30BL.118 Nexperia | 77 ₽ | ||
| PSMN1R6-30BL118 NXP | 135 ₽ | ||
| PSMN1R6-30BL118 NXP | 141 ₽ | ||
| PSMN1R6-30BL,118 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN1R6-30BL
N-channel 30 V 1.9 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 22 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.00158 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN1R630BL, PSMN1R6 30BL
