Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN1R7-60BS
![]() 36 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 120 А, 0.00166 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
PSMN1R7-60BS,118 NXP | 149 ₽ | ||
PSMN1R7-60BS NXP | 158 ₽ | ||
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia | от 314 ₽ | ||
PSMN1R7-60BS IC NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN1R7-60BS
N-channel 60 V 2 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
2 -- 29 February 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.00166 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN1R760BS, PSMN1R7 60BS