На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PSMN2R0-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN2R0-30BL

Наименование модели: PSMN2R0-30BL

13 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 211Вт; D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN2R0-30BL.118
Nexperia
79 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN2R0-30BL
NXP
128 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN2R0-30BL,118
NXP
145 ₽
PSMN2R0-30BL,118
Nexperia
от 240 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN2R0-30BL
N-channel 30 V 2.1 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.

1 -- 20 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00179 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 211 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN2R030BL, PSMN2R0 30BL

На английском языке: Datasheet PSMN2R0-30BL - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России