Datasheet PSMN2R9-30MLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 70 А, LFPAK33 — Даташит
Наименование модели: PSMN2R9-30MLC
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
PSMN2R9-30MLC,115 Nexperia | 24 ₽ | ||
PSMN2R9-30MLC,115 NXP | 50 ₽ | ||
PSMN2R9-30MLC,115 NXP | 53 ₽ | ||
PSMN2R9-30MLC Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 70 А, LFPAK33
Краткое содержание документа:
PA K
PSMN2R9-30MLC
N-channel 30 V 2.95 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
Rev.
2 -- 15 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 70 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.00245 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.78 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: LFPAK
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 91 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN2R930MLC, PSMN2R9 30MLC