Datasheet PSMN3R3-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN3R3-80BS
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 760А; 306Вт | |||
PSMN3R3-80BS NXP | 135 ₽ | ||
PSMN3R3-80BS,118 Nexperia | от 275 ₽ | ||
PSMN3R3-80BS,118 NXP | по запросу | ||
PSMN3R3-80BS118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R3-80BS
N-channel 80 V, 3.5 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
2 -- 29 February 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R380BS, PSMN3R3 80BS