Datasheet PSMN3R4-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит

Наименование модели: PSMN3R4-30BL
15 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK. N-Channel 30V 100A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| PSMN3R4-30BL,118 Nexperia | 32 ₽ | ||
| PSMN3R4-30BL NXP | 33 ₽ | ||
| PSMN3R4-30BL118 NXP | 53 ₽ | ||
| PSMN3R4-30BL118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R4-30BL
N-channel 30 V 3.3 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 22 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.00279 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 114 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R430BL, PSMN3R4 30BL






