Datasheet PSMN3R8-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить PSMN3R8-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 324 ₽ 30 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 306Вт; D2PAK,SOT404
Lixinc Electronics Весь мир	PSMN3R8-100BS,118 Nexperia	от 124 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PSMN3R8-100BS,118 NXP	160 ₽	Купить
Элитан Россия	PSMN3R8-100BS NXP	214 ₽	Купить
Augswan Весь мир	PSMN3R8-100BS118 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R8-100BS
N-channel 100 V 3.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

2 -- 29 February 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.00328 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 306 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN3R8100BS, PSMN3R8 100BS