Datasheet PSMN3R8-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Наименование модели: PSMN3R8-100BS
Купить PSMN3R8-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 107 до 483 ₽32 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK. N-Channel 100V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| PSMN3R8-100BS,118 Nexperia | 219 ₽ | ||
| PSMN3R8-100BS,118 Nexperia | от 224 ₽ | ||
| PSMN3R8-100BS,118 Nexperia | от 483 ₽ | ||
| PSMN3R8-100BS,118 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R8-100BS
N-channel 100 V 3.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
2 -- 29 February 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.00328 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R8100BS, PSMN3R8 100BS

Купить PSMN3R8-100BS на РадиоЛоцман.Цены




