Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet PSMN4R3-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN4R3-30BL

Наименование модели: PSMN4R3-30BL

29 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 465А; 103Вт
AllElco Electronics
Весь мир
PSMN4R3-30BL,118
Nexperia
от 26 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN4R3-30BL,118
NXP
48 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN4R3-30BL
NXP
74 ₽
PSMN4R3-30BL,118
Nexperia
от 115 ₽
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN4R3-30BL
N-channel 30 V 4.1 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.

1 -- 22 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0035 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 103 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN4R330BL, PSMN4R3 30BL

На английском языке: Datasheet PSMN4R3-30BL - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка