Datasheet PSMN4R3-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN4R3-30BL
![]() 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 465А; 103Вт | |||
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia | от 26 ₽ | ||
PSMN4R3-30BL,118 NXP | 48 ₽ | ||
PSMN4R3-30BL NXP | 74 ₽ | ||
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia | от 115 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN4R3-30BL
N-channel 30 V 4.1 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 22 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0035 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 103 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN4R330BL, PSMN4R3 30BL