Datasheet PSMN5R0-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN5R0-80BS
![]() 22 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; Idm: 598А; 270Вт | |||
PSMN5R0-80BS,118 NXP | 162 ₽ | ||
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia | от 235 ₽ | ||
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia | от 276 ₽ | ||
PSMN5R0-80BS,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN5R0-80BS
N-channel 80 V, 5.1 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 20 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.00436 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 270 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN5R080BS, PSMN5R0 80BS