Datasheet PSMN5R6-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 61.8 А, TO220F — Даташит
Наименование модели: PSMN5R6-100XS
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Compliant No SVHC 3 V 3 3 V 60 W 175 °C -55 °C | |||
PSMN5R6-100XS NXP | 89 ₽ | ||
PSMN5R6-100XS,127 NXP | 91 ₽ | ||
PSMN5R6-100XS,127 Rochester Electronics | по запросу | ||
PSMN5R6-100XS NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 61.8 А, TO220F
Краткое содержание документа:
TO -2
20F
PSMN5R6-100XS
N-channel 100V 5.6 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A)
Rev.
3 -- 6 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 61.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0043 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220F
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN5R6100XS, PSMN5R6 100XS