LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PSMN5R6-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 61.8 А, TO220F — Даташит

NXP PSMN5R6-100XS

Наименование модели: PSMN5R6-100XS

10 предложений от 10 поставщиков
61A, 100V, 0.0056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
ЧипСити
Россия
PSMN5R6-100XS
NXP
101 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN5R6-100XS
NXP
106 ₽
Acme Chip
Весь мир
PSMN5R6-100XS
по запросу
PSMN5R6-100XS,127
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 61.8 А, TO220F

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TO -2
20F
PSMN5R6-100XS
N-channel 100V 5.6 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A)
Rev.

3 -- 6 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 61.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0043 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220F
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 60 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN5R6100XS, PSMN5R6 100XS

На английском языке: Datasheet PSMN5R6-100XS - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 61.8 A, TO220F

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России