Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet PSMN8R7-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN8R7-80BS

Наименование модели: PSMN8R7-80BS

29 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 90А; Idm: 361А; 170Вт
ЧипСити
Россия
PSMN8R7-80BS
NXP
42 ₽
727GS
Весь мир
PSMN8R7-80BS,118
Nexperia
от 454 ₽
PSMN8R7-80BS,118
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PSMN8R7-80BS
Nexperia
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN8R7-80BS
N-channel 80 V 8.7 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

2 -- 2 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 90 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0075 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 170 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN8R780BS, PSMN8R7 80BS

На английском языке: Datasheet PSMN8R7-80BS - NXP MOSFET, N CH, 80 V, 90 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка