Datasheet PSMN8R7-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN8R7-80BS
![]() 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 90А; Idm: 361А; 170Вт | |||
PSMN8R7-80BS NXP | 42 ₽ | ||
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia | от 454 ₽ | ||
PSMN8R7-80BS,118 NXP | по запросу | ||
PSMN8R7-80BS Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN8R7-80BS
N-channel 80 V 8.7 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
2 -- 2 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.0075 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 170 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN8R780BS, PSMN8R7 80BS