Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8 — Даташит

Vishay SIRA00DP-T1-GE3

Наименование модели: SIRA00DP-T1-GE3

37 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
от 72 ₽
Maybo
Весь мир
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
177 ₽
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiRA00DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 830µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SIRA00DPT1GE3, SIRA00DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, 30 V, 60 A, PPAKSO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка