Datasheet SIRA02DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 50 А, PPAKSO-8 — Даташит
Наименование модели: SIRA02DP-T1-GE3
Купить SIRA02DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 193 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV | |||
SiRA02DP-T1-GE3 Vishay | 44 ₽ | ||
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay | от 89 ₽ | ||
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay | 129 ₽ | ||
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay | от 193 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, 30 В, 50 А, PPAKSO-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiRA02DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.00165 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SIRA02DPT1GE3, SIRA02DP T1 GE3