Datasheet SIRA02DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 50 А, PPAKSO-8 — Даташит

Купить SIRA02DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 202 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV
T-electron Россия и страны СНГ	SiRA02DP-T1-GE3 Vishay	47 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SIRA02DP-T1-GE3 Vishay	от 89 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SIRA02DP-T1-GE3 Vishay	129 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SIRA02DP-T1-GE3 Vishay	136 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 50 А, PPAKSO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiRA02DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.00165 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• RoHS: да

Варианты написания:

SIRA02DPT1GE3, SIRA02DP T1 GE3