Datasheet SISA04DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8 — Даташит
Наименование модели: SISA04DN-T1-GE3
![]() 35 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 40 А, 0.0018 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount | |||
SISA04DN-T1-GE3 Vishay | 42 ₽ | ||
SISA04DN-T1-GE3 Vishay | 64 ₽ | ||
SISA04DN-T1-GE3 Vishay | от 91 ₽ | ||
SISA04DN-T1-GE3 Vishay | 98 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiSA04DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 52 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SISA04DNT1GE3, SISA04DN T1 GE3