Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SISA04DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8 — Даташит

Vishay SISA04DN-T1-GE3

Наименование модели: SISA04DN-T1-GE3

42 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SISA04DN-T1-GE3
от 14 ₽
AiPCBA
Весь мир
SISA04DN-T1-GE3
Vishay
66 ₽
SISA04DN-T1-GE3
Vishay
от 93 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SISA04DN-T1-GE3
111 ₽
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiSA04DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAK 1212
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 52 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SISA04DNT1GE3, SISA04DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SISA04DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, 30 V, 40 A, PPAK1212-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка