Datasheet STB11N52K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 525 В, 10 А, D2PAK — Даташит

Купить STB11N52K3 на РадиоЛоцман.Цены — от 127 до 297 ₽ 19 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET Power N-Ch 525V 0.41Ω 10A SuperMESH3 125W
ЧипСити Россия	STB11N52K3 STMicroelectronics	140 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STB11N52K3 STMicroelectronics	235 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB11N52K3	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STB11N52K3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 525 В, 10 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11N52K3, STF11N52K3 STP11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 10 A SuperMESH3TM Power MOSFET , in DІPAK,TO-220FP and TO-220 packages
Datasheet -- production data
Features
TAB

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 525 В
• On Resistance Rds(on): 0.41 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)