Datasheet STB14NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 12 А, D2PAK — Даташит

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 12 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 12 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP
Features
Type STB14NM50N STD14NM50N STF14NM50N STP14NM50N
VDSS @ TJmax

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рассеиваемая мощность: 90 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)