Datasheet STB155N3H6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB155N3H6
![]() 20 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STB155N3H6 MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 30V, 0.0025Ω, 10V, 2V | |||
STB155N3H6 STMicroelectronics | от 281 ₽ | ||
STB155N3H6 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB155N3H6 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB155N3H6 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB155N3H6 STD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, DІPAK, DPAK STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB155N3H6 STD155N3H6 VDSS 30 V 30 V RDS(on) max < 3 m < 3 m ID 80 A (1) 80 A (1)
3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)