Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet STB155N3H6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB155N3H6

Наименование модели: STB155N3H6

15 предложений от 12 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK. N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ChipWorker
Весь мир
STB155N3H6
STMicroelectronics
107 ₽
STB155N3H6
STMicroelectronics
от 248 ₽
Xinhuo Future
Весь мир
STB155N3H6
STMicroelectronics
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
STB155N3H6
STMicroelectronics
по запросу
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB155N3H6 STD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, DІPAK, DPAK STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB155N3H6 STD155N3H6 VDSS 30 V 30 V RDS(on) max < 3 m < 3 m ID 80 A (1) 80 A (1)
3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB155N3H6 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 30 V, 80 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка